GaN 外延层搭配 SiC 衬底：
这种搭配方案在蓝光 LED 领域应用广泛，因为 GaN 在 SiC 上的外延质量较高，同时 SiC 的高热导率可以有效地解决 GaN LED 发热问题。
GaN 外延层搭配 Si 衬底：
这种搭配方案成本较低，适用于大规模生产。然而，由于 GaN 和 Si 的晶格失配较大，需要在 Si 衬底上制备一层缓冲层以减小晶格失配。
InGaN 外延层搭配 GaN 衬底：
这种搭配方案适用于制备高亮度蓝绿光 LED。GaN 衬底具有较高的导热性能，同时 GaN 和 InGaN 的晶格匹配度较高，可以获得高质量的外延层。
AlGaInP 外延层搭配 GaAs 衬底：
这种搭配方案适用于制备红光和黄光 LED。GaAs 衬底具有较低的成本和成熟的制备工艺，同时 GaAs 和 AlGaInP 的晶格匹配度较高。；

观众来源：第三代半导体开发设计、制造、测试企业等。

市场机会：在现代电子、光电子、微电子和信息技术领域，半导体衬底和外延技术都发挥着不可或缺的作用。它们为制造高性能、高可靠性的半导体器件提供了坚实的基础。随着科技的不断发展，半导体衬底和外延技术也将不断进步，为未来的半导体产业带来新的突破和发展。